IT之家 7 月 24 日消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）今日宣布，该公司生产的氧化镓同质厚膜外延片，在西安电子科技大学顺利完成无终端结构的 SBD 器件制备与性能验证。
本次验证所用的厚膜外延片，外延层厚度 10 μm、载流子浓度 1×10¹⁶ cm⁻³。验证结果表明，该器件耐压能力与导通特性表现优异，核心参数达到国际先进水平，关键指标显著优于日本头部企业同类器件，标志着我国大尺寸氧化镓同质外延材料在器件应用端取得了关键性突破。
目前，该外延片持续现货供应，可为下游器件研发与量产提供稳定、即时的材料保障。
击穿电压是衡量功率器件耐压能力的核心指标，直接决定器件的工作电压上限。验证数据显示，基于镓仁半导体厚膜外延片制备的无终端 SBD 器件击穿电压为 1090~1490 V，显著优于日本头部企业同类产品，表明该外延片缺陷密度低、质量可靠，能够满足超高压、高功率器件的应用需求。
比导通电阻是决定器件导通损耗的关键参数，其数值越低，器件工作时的能量损耗越小、转换效率越高。该 SBD 器件比导通电阻为 2.6~4.5 mΩ·cm²，远低于日本头部企业同类产品，兼具优异的导通特性与阻断特性，实现了导通损耗与耐压能力的平衡优化。
镓仁半导体表示，此次验证结果表明，基于镓仁半导体外延片制备的 SBD 器件综合性能优异，器件指标优于进口产品。
IT之家注：杭州镓仁半导体有限公司是一家氧化镓材料与设备解决方案提供商，专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。该公司核心产品包括：2-8 英寸氧化镓单晶与衬底（其中 8 英寸为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法（VB 法）长晶设备、2-8 英寸氧化镓同质外延片（其中 8 英寸为国际首发）等。
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